题 目： 功能性低维电子器件设计的密度泛函理论研究

报告人：周刚 研究员

单 位： 清华大学物理系

时 间： 2012年4月25日(星期三)14:00

地 点： 中心教学楼701   

摘 要： 近二十年来，电子器件小型化的发展推动纳米科学和技术的飞速进步。面对着层出不穷出现的低维纳米级别新材料，在用作功能器件之前通过理论计算初步了解其内在性质，将会有利于更合理、有效和针对性应用。本报告以我们研究组长期以来在利用基于密度泛函理论的计算方法，结合凝聚态物理理论为基础，针对常见的低维半导体材料和纳米器件中出现的物理现象和性能需求等开展的研究工作。以三个代表性工作：一维材料中的半金属性、如何实现n-/p-石墨烯场效应管、和Si纳米管中的调制掺杂等，为范例，论述了如何在考虑实际实验和测试手段的情况下，通过第一原理等方法计算辅助设计，在揭示相关的物理机制同时，实现了新材料寻找、新器件设计和新工艺制定。

简 历： 1999 年中科院沈阳金属所博士毕业，2001-2003年日本东北大学金属所 COE 研究员，2004 年起在清华大学物理系工作至今。教育部新世纪人才（2008年）。研究领域主要有理论和计算凝聚态物理学、新型材料和功能器件设计、物理、化学和材料等交叉学科研究。发表SCI文章60余篇，包括：Physical Review Letters（1篇）、Journal of the American Chemical Society（4篇），被SCI他引800余次。

邀请人：姚裕贵 教授

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